【編號】2021-22

【題名】核殼填料Ag^@TiO₂對PTFE基復合材料微波介電性能的調控特性研究

【作者】鄭金橋，梁飛，戴金航等

【機構】中興通訊股份有限公司產學研合作司；華中科技大學光學與電子信息學院

【刊名】電子元件與材料（2021年05期）

【文摘】高介電常數聚合物基微波介質材料同時具有較高的介電常數與良好的機械性能,擁有廣闊的應用前景。本研究通過溶膠凝膠法在納米銀分散液中將鈦酸四丁酯水解，制備了不同Ag^@TiO₂摩爾比的Ag^@TiO₂核殼顆粒，并作為填料與聚四氟乙烯(PTFE)復合制備出Ag^@TiO₂/PTFE復合材料。通過X射線衍射分析、掃描電鏡形貌分析、EDS分析等測試手段對實驗樣品形貌、組分進行了分析。采用核殼結構制備的Ag^@TiO₂顆粒與PTFE復合后，樣品的介電常數與損耗隨Ag^@TiO₂填充比例升高而遞增，在填充比例為60%體積分數下可以制備出介電性能與導熱性能俱佳、與金屬相容性良好的微波介電材料。測試結果表明，在該比例下樣品同時具有高介電常數(25.22)、低介電損耗(5.2×10^-3)、較高的熱導率(1.367W/(m?K))和較低的線膨脹系數(25.6×10^-6/℃)，可以滿足微波無源器件輕量化、小型化的應用需求。