【編號】2021-26

【題名】聚偏氟乙烯基復合材料的制備及介電性能

【作者】王繼華，柳軍旺，王春鋒等

【機構】哈爾濱理工大學材料科學與工程學院；哈爾濱理工大學電介質工程省部共建國家重點實驗室培育基地

【刊名】復合材料學報（2021年05期）

【文摘】為有效改善聚合物基復合材料的介電性能，兼顧高介電常數和低填料量同時并存，采用以聚偏氟乙烯(PVDF)為基體樹脂，鈦酸鋇(BT)和石墨烯(GNP)分別為介電填料和導電填料，在BT-GNP/PVDF復合體系內部構建微電容器結構。采用溶液法和熱壓法制備GNP/PVDF薄膜和BT-GNP/PVDF復合薄膜。結果表明，BT和GNP填料在BT-GNP/PVDF復合薄膜中能夠均勻分散，在薄膜內能形成明顯的微電容器結構。陶瓷填料BT的引入，使微電容器結構更有利于提高BT-GNP/PVDF復合薄膜的介電常數。BT含量大于50wt%的BT-GNP/PVDF復合薄膜介電常數均不低于GNP/PVDF薄膜。BT含量為50wt％的BT-GNP/PVDF復合薄膜的介電常數高于BT含量分別為35wt％、60wt％和70wt％的BT-GNP/PVDF復合薄膜，最大值約為43，相當于GNP含量為0.8wt％的GNP/PVDF薄膜的1.5倍；BT含量為50wt％的BT-GNP/PVDF復合薄膜損耗角正切均小于其他體系薄膜，最大不超過0.09，最小約為0.02。BT-GNP/PVDF復合薄膜的電導率變化趨勢基本一致，沒有明顯差異。