【編號】2013-43
　　【名稱】一種高介電常數聚偏氟乙烯基復合材料及其制備方法
　　【公開（公告）號】CN102964754A
　　【公開（公告）日期】2013-3-13
　　【申請（專利權）人】哈爾濱師范大學
　　【摘要】一種高介電常數聚偏氟乙烯基復合材料及其制備方法，它涉及一種聚偏氟乙烯基復合材料及其制備方法。本發明的目的是要解決現有方法制備的石墨烯/PVDF復合材料存在介電常數偏低的問題。一種高介電常數聚偏氟乙烯基復合材料由Ag-石墨烯、N-甲基吡咯烷酮和PVDF樹脂制備而成。方法的：一、制備Ag-石墨烯/N-甲基吡咯烷酮懸浮液；二、制備PVDF樹脂/N-甲基吡咯烷酮溶液；三、混合得到Ag-石墨烯/PVDF樹脂/N-甲基吡咯烷酮混合物；四、成膜得到Ag-石墨烯/PVDF三相復合材料薄膜；五、成型得到高介電常數聚偏氟乙烯基復合材料。本發明主要用于制備高介電常數聚偏氟乙烯基復合材料。