【編號】2019-18
　　【名稱】聚偏氟乙烯薄膜的制備方法
       【公開（公告）號】CN109320743A
　　【公開（公告）日期】2019.02.12
　　【申請（專利權）人】北京化工大學
       【摘要】本發明公開了一種聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，包括：(1)將聚偏氟乙烯PVDF分散于溶劑中，形成濃度為1～100mg/mL的PVDF溶液；PVDF的重均分子量為3.5×105～8×105；(2)將所述PVDF溶液施加于基底上、并在40～130℃干燥成型，得到初始膜；(3)將所述初始膜進一步干燥，形成預處理膜；(4)以1～20℃/min的升溫速率將所述預處理膜升溫至150～170℃，并持續退火1～60min，然后以1～20℃/min的降溫速率降溫至23±2℃，形成γ晶型聚偏氟乙烯薄膜。采用本發明的方法可以獲得γ晶型含量很高的聚偏氟乙烯薄膜。