【編號】2020-67
　　【名稱】一種聚偏氟乙烯γ型晶體的制備方法
      【公開（公告）號】CN111205496A
　　【公開（公告）日期】2020.05.29
　　【申請（專利權）人】北京化工大學
       【摘要】本發明公開了一種聚偏氟乙烯γ型晶體的制備方法，包括如下步驟：將聚偏氟乙烯薄膜在180~260℃的剪切溫度下用纖維進行剪切，得到剪切后的聚偏氟乙烯薄膜；然后將剪切后的聚偏氟乙烯薄膜在150~165℃的結晶溫度下進行結晶，得到聚偏氟乙烯γ型晶體。本發明的方法可以得到聚偏氟乙烯γ型晶體。