【編號】2021-18

【名稱】一種低介電常數低損耗低熱膨脹系數PTFE基電路基板及其制備方法

【公開（公告）號】CN112480579A 

【公開（公告）日期】2021.03.12

【申請（專利權）人】華東理工大學

【摘要】本發明涉及一種低介電常數低損耗低熱膨脹系數PTFE基電路基板及其制備方法，本發明的PTFE基電路基板中，其中，PTFE樹脂質量占PTFE基電路基板質量的80?95%，玻璃纖維質量占PTFE基電路基板質量的1?10%，中空玻璃微球質量占PTFE基電路基板質量的1?10%，改性劑的質量占無機填料(玻璃纖維或中空玻璃微球)質量的10?20%。本發明的制備PTFE基電路基板的方法包括無機填料的表面改性步驟和PTFE基電路基板的制備步驟。本發明的PTFE基電路基板在降低熱膨脹系數(70ppm/℃)的同時還可以保證材料優異的介電性能(D_k=2.1@10GHz，D_f=0.0001@10GHz)，有望可以廣泛應用于電力通訊領域。