【編號】2021-41

【名稱】一種具有超低介電損耗的PTFE/MgTiO₃復合介質材料及其制備方法

【公開（公告）號】CN112759870A

【公開（公告）日期】2021.05.07

【申請（專利權）人】中國科學院上海硅酸鹽研究所

【摘要】本發明涉及一種具有超低介電損耗的PTFE/MgTiO₃復合介質材料及其制備方法，所述PTFE/MgTiO₃復合介質材料包括四氟乙烯基體以及填充在所述四氟乙烯基體中的微波介質陶瓷MgTiO₃；在所述PTFE/MgTiO₃復合介質材料中微波介質陶瓷MgTiO₃的含量為10～40Vol%，優選17.5～32.5Vol%。