【編號】2021-63

【名稱】一種基于PTFE對TMDCs進行p型摻雜的方法及半導體

【公開（公告）號】CN113451139A

【公開（公告）日期】2021.09.28

【申請（專利權）人】復旦大學

【摘要】本發明公開了一種基于PTFE對TMDCs進行p型摻雜的方法及半導體，屬于先進半導體器件技術領域，方法為：將TMDCs材料轉移到含氟的超平PTFE基底上，從而構建了一種TMDs和PTFE的垂直異質界面，該界面對TMDCs具有高效的空穴摻雜調控，通過測定轉移后的TMDCs的光譜結構和熒光壽命，表征其能帶結構的變化，可確定實現對TMDCs的p型摻雜，獲得p型摻雜的TMDCs半導體，從而擴展了在光電或電子器件上的應用。本發明實現了在室溫下對二維TMDCs從n型到p型摻雜的轉換，調節效果長期、穩定且適合大規模生產要求，方法操作簡便，具有單原子層可控摻雜精度，通過含氟化合物的強電負性效應實現對二維TMDCs的空穴摻雜型。